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初创公司 NEO 半导体推出 3D X-DRAM 技术

2023-05-04 东寻 来源:区块链网络

据 PR Newswire 报道,初创公司 NEO Semiconductor 表示,其 3D X-DRAM 技术可以生产 230 层的 128 Gbit DRAM 芯片——是当前 DRAM 密度的八倍。NEO 表示,3D X-DRAM 是解决由下一波 AI 应用(例如 ChatGPT)驱动的对高性能和大容量存储器半导体的需求增长所必需的。

原文链接

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编译者/作者:东寻

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